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BMH027MR07E1G3

SiC MOSFET Module

ElectricalFeatures LowRDS(on) Highcurrentdensity Lowinductancedesign Lowswitchinglosses Lesssusceptibletomalfunctiondueto highthresholdvoltage:VGS(th).typ=4.0V Built-inSiCschottkybarrierdiode ZeroReverseRecoveryfromDiodes Lowdiodeforwardvoltage Intergrated

BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR

基本半導(dǎo)體深圳基本半導(dǎo)體有限公司

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更多BMH027MR07E1G3供應(yīng)商 更新時間2025-1-2 13:30:00

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