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BLV57中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BLV57
廠商型號

BLV57
功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
文件大小

82.92 Kbytes
頁面數(shù)量

1 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-13 16:50:00
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晶體管資料

  • 型號：

    BLV57

  • 別名：

    BLV57三極管、BLV57晶體管、BLV57晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    差分放大器射極輸出 （Dual）_超高頻/特高頻 （UHF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    860MHZ

  • 引腳數(shù)：

    6

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    6W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    G-244

  • vtest：

    50

  • htest：

    860000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    6.0001

BLV57規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The ASI BLV57 is Designed for use as push-pull amplifier, primarily in linear UHF TV transmitting Applications.

FEATURES:

? Input Matching Network

? Common emitter

? Omnigold? Metalization System with eutectic die bonding

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    BLV57

  • 功能描述：

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置：

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    40

  • 最大工作頻率：

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    20 A

  • 功率耗散：

    250 W

  • 封裝/箱體：

    Case 211-11

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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