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BLV11中文資料ASI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BLV11
廠商型號

BLV11

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

文件大小

25.93 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡稱

ASI

中文名稱

Advanced Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-1 23:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    BLV11

  • 別名:

    BLV11三極管、BLV11晶體管、BLV11晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    甚高頻 (VHF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    36V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    175MHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號:

    MRF221,MRF222,MRF223,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    G-266

  • vtest:

    36

  • htest:

    175000000

  • atest:

    3

  • wtest:

    15

BLV11規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The ASI BLV11is Designed for Class C, 12.5 Volt operation in FM Amplifier Applications up to 250 MHz

FEATURES INCLUDE:

? PG= 9.0 dB Typical at 175 MHz

? Emitter Ballasting

? Omnigold? Metalization System

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BLV11

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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