BLT70,115_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-恩智浦

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原廠料號(hào):BLT70,115品牌:NXP USA Inc.

資料說明:RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

BLT70,115是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商N(yùn)XP/恩智浦生產(chǎn)封裝TO-261-4,TO-261AA的BLT70,115晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào):

    blt70,115

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  • 企業(yè)簡稱:

    NXP【恩智浦】詳情

  • 廠商全稱:

    NXP Semiconductors

  • 中文名稱:

    恩智浦半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLT70,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    8V

  • 頻率 - 躍遷:

    900MHz

  • 功率 - 最大值:

    2.1W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 100mA,4.8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-73

  • 描述:

    RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

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