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BLS9G2934L-400分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS9G2934L-400
廠商型號

BLS9G2934L-400

參數(shù)屬性

BLS9G2934L-400 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

功能描述

LDMOS S-band radar power transistor
RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

封裝外殼

SOT-502A

文件大小

1.37174 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-1 16:00:00

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BLS9G2934L-400規(guī)格書詳情

BLS9G2934L-400屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS9G2934L-400晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

Single ended 400 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the

frequency range from 2.9 GHz to 3.4 GHz.

Features and benefits

? Single ended

? Small size

? High efficiency

? Excellent ruggedness

? Designed for S-band operation

? Excellent thermal stability

? Easy power control

? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation

? High flexibility with respect to pulse formats

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? S-band radar applications in the frequency range 2.9 GHz to 3.4 GHz

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLS9G2934L-400U

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.9GHz ~ 3.4GHz

  • 增益:

    12dB

  • 額定電流(安培):

    4μA

  • 功率 - 輸出:

    400W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Ampleon USA Inc.
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