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BLS7G3135L-350P

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLS7G3135L-350P

LDMOS S-band radar power transistor

Generaldescription 350WLDMOSpowertransistorintendedforradarapplicationsinthe3.1GHzto3.5GHz range. Featuresandbenefits ?Easypowercontrol ?IntegratedESDprotection ?Highflexibilitywithrespecttopulseformats ?Excellentruggedness ?Highefficiency ?Excellentth

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLS7G3135L-350P_15

BLS7G3135L-350P_15

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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NXP
24+
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更多BLS7G3135L-350P供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 10:20:00

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