BLP25M710分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BLP25M710 |
參數(shù)屬性 | BLP25M710 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN |
功能描述 | Broadband LDMOS driver transistor |
封裝外殼 | 12-VDFN 裸露焊盤 |
文件大小 |
671.06 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-29 11:16:00 |
BLP25M710規(guī)格書詳情
BLP25M710屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP25M710晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
A 10 W LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the
HF to 2500 MHz band.
Features and benefits
? Easy power control
? Integrated ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (HF to 2500 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BLP25M710Z
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 頻率:
2.14GHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 輸出:
2W
- 封裝/外殼:
12-VDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
12-HVSON(6x4)
- 描述:
RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPHENOL/安費(fèi)諾 |
2420+ |
/ |
406737 |
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詢價(jià) | ||
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Ampleon USA Inc. |
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12HVSON (5x6) |
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詢價(jià) |