BLP10H603分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BLP10H603 |
參數(shù)屬性 | BLP10H603 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN |
功能描述 | Broadband LDMOS driver transistor |
文件大小 |
880.79 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-8 23:00:00 |
BLP10H603規(guī)格書詳情
General description
A 2.5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at
frequencies from HF to 1400 MHz.
Features and benefits
? Easy power control
? Integrated ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications
BLP10H603屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。安譜隆制造生產(chǎn)的BLP10H603晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BLP10H603Z
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
860MHz
- 增益:
22.8dB
- 功率 - 輸出:
2.5W
- 封裝/外殼:
12-VDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
12-HVSON(6x5)
- 描述:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
7350 |
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詢價 | ||
Ampleon USA Inc. |
21+ |
12HVSON (5x6) |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
AMPHENOL/安費諾 |
2420+ |
/ |
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Ampleon USA Inc. |
22+ |
12HVSON (5x6) |
9000 |
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AMPLEON |
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SMD |
7300 |
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NXP |
23+ |
SMD |
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Ampleon USA Inc. |
2022+ |
12-HVSON(6x5) |
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