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BLP10H603分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP10H603
廠商型號

BLP10H603

參數(shù)屬性

BLP10H603 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

功能描述

Broadband LDMOS driver transistor
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

文件大小

880.79 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-8 23:00:00

BLP10H603規(guī)格書詳情

General description

A 2.5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at

frequencies from HF to 1400 MHz.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Broadcast transmitter applications

BLP10H603屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。安譜隆制造生產(chǎn)的BLP10H603晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLP10H603Z

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    22.8dB

  • 功率 - 輸出:

    2.5W

  • 封裝/外殼:

    12-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    12-HVSON(6x5)

  • 描述:

    RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

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