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BLM8G0710S-60PBY_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-安譜隆

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原廠料號(hào)：BLM8G0710S-60PBY品牌：Ampleon USA Inc.

資料說明：RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112

BLM8G0710S-60PBY是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商AMPLEON/安譜隆生產(chǎn)封裝SOT-1211-2的BLM8G0710S-60PBY晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    blm8g0710s-60pby

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    AMPLEON【安譜隆】詳情

  • 廠商全稱：

    Ampleon USA Inc.

  • 資料說明：

    RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BLM8G0710S-60PBY

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    957.5MHz

  • 增益：

    36.2dB

  • 功率 - 輸出：

    6W

  • 封裝/外殼：

    SOT-1211-2

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    16-HSOPF

  • 描述：

    RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112

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