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BLF8G22LS-160BV

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BLF8G22LS-160BV_15

Power LDMOS transistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BLF8G22LS-160BV,11

包裝：托盤 封裝/外殼：SOT-1120B 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

BLF8G22LS-160BV:11

包裝：托盤 封裝/外殼：SOT-1120B 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B

AmpleonAmpleon USA Inc.

安譜隆

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NXP(恩智浦)
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NXP專營品牌進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多BLF8G22LS-160BV供應商 更新時間2024-12-28 23:00:00

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