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BLF6G27-45分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BLF6G27-45
廠商型號(hào)

BLF6G27-45

參數(shù)屬性

BLF6G27-45 封裝/外殼為SOT-608A;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A

功能描述

WiMAX power LDMOS transistor

封裝外殼

SOT-608A

文件大小

123.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-21 9:06:00

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BLF6G27-45規(guī)格書(shū)詳情

General description

45 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 2500 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ Typical 1-carrier N-CDMA performance (single carrier N-CDMA with pilot, paging, sync

and 6 traffic channels [Walsh codes 8 - 13]. PAR = 9.7 dB at 0.01 probability on

CCDF. Channel bandwidth is 1.23 MHz), a supply voltage of 28 V and

an IDq of 350 mA:

■ Qualified up to a maximum VDS operation of 32 V

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation

■ Internally matched for ease of use

■ Low gold plating thickness on leads

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

■ RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the

2500 MHz to 2700 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF6G27-45,135

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.7GHz

  • 增益:

    18dB

  • 額定電流(安培):

    20A

  • 功率 - 輸出:

    7W

  • 封裝/外殼:

    SOT-608A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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