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BLF242分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF242
廠商型號

BLF242

參數(shù)屬性

BLF242 封裝/外殼為SOT-539A;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A

功能描述

HF/VHF power MOS transistor

文件大小

147.01 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-30 23:00:00

BLF242規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range.

The transistor is encapsulated in a 4-lead, SOT123 flange envelope, with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.

FEATURES

? High power gain

? Low noise

? Easy power control

? Good thermal stability

? Withstands full load mismatch

? Gold metallization ensures excellent reliability.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLF2425M6L180P,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    2.45GHz

  • 增益:

    13.3dB

  • 功率 - 輸出:

    180W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A

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