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BLF10H6600PS分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF10H6600PS
廠商型號

BLF10H6600PS
參數(shù)屬性

BLF10H6600PS 封裝/外殼為SOT-539B；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
封裝外殼

SOT-539B
文件大小

1.51826 Mbytes
頁面數(shù)量

18 頁
生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon【安譜隆】

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-29 23:00:00

BLF10H6600PS規(guī)格書詳情

BLF10H6600PS屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF10H6600PS晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 600 W LDMOS RF power transistor for transmitter applications and industrial

applications. The excellent ruggedness of this device makes it ideal for digital and analog

transmitter applications.

Features and benefits

? Excellent ruggedness (VSWR ? 40 : 1 through all phases)

? Optimum thermal behavior and reliability, Rth(j-c) = 0.15 K/W

? High power gain

? High efficiency

? Designed for broadband operation (400 MHz to 1000 MHz)

? Internal input matching for high gain and optimum broadband operation

? Excellent reliability

? Easy power control

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Communication transmitter applications

? Industrial applications

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BLF10H6600PSU

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙），共源

  • 頻率：

    860MHz

  • 增益：

    20.8dB

  • 功率 - 輸出：

    250W

  • 封裝/外殼：

    SOT-539B

  • 供應商器件封裝：

    SOT539B

  • 描述：

    RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B

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