首頁(yè)>BIDW30N60T>芯片詳情

BIDW30N60T 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

BIDW30N60T參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    BIDW30N60T

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    58000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-14 11:06:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：BIDW30N60T

一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇

BIDW30N60T是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Bourns Inc.生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3的BIDW30N60T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    BIDW30N60T

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    BOURNS【伯恩斯】詳情

  • 廠商全稱：

    Bourns Electronic Solutions

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1327.48 kb

  • 資料說(shuō)明：

    BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BIDW30N60T

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.65V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    1.85mJ（開）， 450μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    30ns/67ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 600V 30A TRENCH TO-247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    董先生 李先生

  • 手機(jī)：

    19924492152

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82542579 19924492152

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路華強(qiáng)廣場(chǎng)C座26J

相近型號(hào)