BIDW20N60T_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Bourns Inc.

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原廠料號(hào):BIDW20N60T品牌:Bourns Inc.

資料說(shuō)明:IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N

BIDW20N60T是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Bourns Inc.生產(chǎn)封裝TO-247-3的BIDW20N60T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    bidw20n60t

  • 規(guī)格書:

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  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BIDW20N60T

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    1mJ(開), 300μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    19ns/48ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 600V 20A TRENCH TO-247N

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Microchip/微芯
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原裝正品,現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)
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三極管/MOS管/晶體管 > IGBT管/模塊
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