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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BFU730LX	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU730LX_15	文件：152.68 Kbytes Page：13 Pages	NPN wideband silicon germanium RF transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFU730LXZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：3-XFDFN 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLV730	文件：509.5 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BPF-A730	文件：495.71 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	MINI Mini-Circuits	MINI
BT730	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT730	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SA	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BT730-SA	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BTS730	文件：49.97 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit(Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads.) PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ?Highsideswitch ?Overtemperaturprotection ?Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ?Loaddumpprotection ?Undervoltageandovervoltageshutdown	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BTS730	文件：135.82 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ●Highsideswitch(Bootstrap) ●Overtemperaturprotection ●Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ●Loaddumpprotection ●Undervoltageandovervolta	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS730	文件：187.57 Kbytes Page：10 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CEB730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB730G	文件：658.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED730G	文件：414.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED730G	文件：613.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 400V,5A,RDS(ON)=1W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEF730G	文件：658.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BFU730LX
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
BFU730LX/XQFN3/SMBPSMDLPR// - Bulk
功能描述：
TRANS RF NPN 3V 30MA XQFN3
SiGe：
C MMIC Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市凌旭科技有限公司	BFU730LX	NXP	2016+	SOT883	7396	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	BFU730LX	NXP	2020+	SOT883	3600	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	BFU730LX	NXP	24+	SOT883	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	BFU730LX	NXP		SOT883	10265	提供BOM表配單只做原裝貨值得信賴	詢價(jià)
深圳市英科美電子有限公司	BFU730LX	NXP	2021+	SOT883	9796	百分百原裝正品	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	BFU730LX	NXP	2020+	SOT883	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	BFU730LX	NXP	2023+	SOT883	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	BFU730LX	NXP	21+	SOT883	35200	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	BFU730LX	NXP	21+	SOT883	15759	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	BFU730LX	NXP	22+	SOT883	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多BFU730LX供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 11:31:00

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