BFU730F分立半導體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BFU730F |
參數(shù)屬性 | BFU730F 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
130 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-25 13:30:00 |
BFU730F規(guī)格書詳情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
BFU730F屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。恩智浦半導體公司制造生產(chǎn)的BFU730F晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BFU730F,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
2.8V
- 頻率 - 躍遷:
55GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
- 功率 - 最大值:
197mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
205 @ 2mA,2V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-343F
- 供應商器件封裝:
4-DFP
- 描述:
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2022+ |
SSOP28 |
6000 |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT343 |
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NXP |
23+ |
原裝正品現(xiàn)貨 |
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SOT-343 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
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SOT343 |
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NXP |
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SOT343 |
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NEXPERIA |
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SOT343F |
63000 |
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NXP |
2024+ |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
SMD |
9000 |
原裝正品 |
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