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BFU730F分立半導體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFU730F
廠商型號

BFU730F

參數(shù)屬性

BFU730F 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP

功能描述

RF Manual 16th edition
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-10-25 13:30:00

BFU730F規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

BFU730F屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。恩智浦半導體公司制造生產(chǎn)的BFU730F晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BFU730F,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    2.8V

  • 頻率 - 躍遷:

    55GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

  • 功率 - 最大值:

    197mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    205 @ 2mA,2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應商器件封裝:

    4-DFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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