BFU580Q 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

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1+	面議

廠家型號：
BFU580Q
產品分類：
芯片
生產廠商：
庫存數量：
57000
產品封裝：
N/A
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-12-30 11:06:00

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原廠料號：BFU580Q

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BFU580Q是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商NXP USA Inc.生產封裝N/A/TO-243AA的BFU580Q晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
BFU580Q
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ISC【無錫固電】詳情
廠商全稱：
Inchange Semiconductor Company Limited
中文名稱：
無錫固電半導體股份有限公司
內容頁數：
3 頁
文件大?。?/span>
344.28 kb
資料說明：
isc Silicon NPN RF Transistor

產品屬性

類型
描述
產品編號：
BFU580QX
制造商：
NXP USA Inc.
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
頻率 - 躍遷：
10.5GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
1.3dB @ 1.8GHz
增益：
8.5dB
功率 - 最大值：
1W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 30mA，8V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
60mA
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-243AA
供應商器件封裝：
SOT-89-3
描述：
RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3

供應商

企業(yè)：
現代芯城（深圳）科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
董先生李先生
手機：
19924492152
詢價：
電話：
0755-82542579 19924492152
地址：
深圳市福田區(qū)振中路華強廣場C座26J

BFU580Q 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

BFU580Q

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