BFU530W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BFU530W |
參數(shù)屬性 | BFU530W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3 |
功能描述 | NPN wideband silicon RF transistor |
文件大小 |
302.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
22 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-30 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BFU530WX
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
11GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
0.6dB @ 900MHz
- 增益:
18.5dB
- 功率 - 最大值:
450mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 10mA,8V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
40mA
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-70,SOT-323
- 供應(yīng)商器件封裝:
SC-70
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
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