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BFR520T	文件：147.81 Kbytes Page：12 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT416(SC75)envelope. ItisintendedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessphones,pagersetc.,withsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransit	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFR520T	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFS520	文件：113.71 Kbytes Page：11 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. ItisintendedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessphones,pagersetc.,withsignalfrequenciesupto2GHz. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfre	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFS520	文件：195.46 Kbytes Page：7 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·LowNoiseFigure NF=1.1dBTYP.@VCE=6V,IC=5mA,f=900MHz ·HighCurrent-Gain—BandwidthProduct fT=9GHzTYP.@VCE=6V,IC=20mA,f=1GHz APPLICATIONS ·DesignedforwidebandapplicationssuchassatelliteTVtuners,cellularphones,cordlessp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFS520	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFS520	文件：847.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNTransistor FEATURES ?CollectorCurrentCapabilityIC=70mA ?CollectorEmitterVoltageVCEO=15V ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency MECHANICALDATA ?Case:SOT-323(SC-70-3)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
BFS520	文件：530.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconRFTransistor Description Ultrahighfrequencylownoisetransistor,planarNPNsiliconEpitaxialbipolarprocess.Withhighpowergain,lownoisefigure,largedynamicrangeandidealcurrentcharacteristics,theuseofSOT-323ultracompactchippackage,mainlyusedintheVHF,UHFandCATVhighfrequencyw	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BFU520	文件：309.76 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor Generaldescription NPNsiliconRFtransistorforhighspeed,lownoiseapplicationsinaplastic,4-pin dual-emitterSOT143Bpackage. TheBFU520ispartoftheBFU5familyoftransistors,suitableforsmallsignaltomedium powerapplicationsupto2GHz. Featuresandbenefits ?Lownoise	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU520	文件：302.81 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=10V(Min.) ·ComplementtoTypeBFU520 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BFU520A	文件：299.45 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU520W	文件：302.08 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU520X	文件：306.64 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU520XR	文件：314.34 Kbytes Page：22 Pages	NPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFU520Y	文件：304.86 Kbytes Page：20 Pages	DualNPNwidebandsiliconRFtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BO520LW	文件：198.87 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features LowForwardVoltageDrop GuardRingConstructionforTransientProtection HighConductance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
BO520WS	文件：67.08 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER [Diodes] Features ●VeryLowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransientProtection ●HighConductance	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BRUS520	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERY4to6AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISPCBOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BS520	文件：28.88 Kbytes Page：2 Pages	PhotodiodeforVisibleLight	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美國夏普微電子公司（SMA）	SHARP
BS520	文件：101.59 Kbytes Page：2 Pages	PhotodiodeforVisibleLight	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美國夏普微電子公司（SMA）	SHARP
BY520	文件：144.15 Kbytes Page：2 Pages	0.25TO0.5AMP.SILICONRECTIFIERS FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 濟(jì)南固锝電子濟(jì)南固锝電子器件有限公司	JGD

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BFR520,215-CUT TAPE
制造商：
NXP
功能描述：
BFR520 Series 15 V 300 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-23-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多BFR520,215-CUT TAPE供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-28 16:11:00

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