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BFR360F分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFR360F
廠商型號

BFR360F
參數(shù)屬性

BFR360F 封裝/外殼為SOT-723；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
封裝外殼

SOT-723
文件大小

140.21 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-2 12:00:00

BFR360F規(guī)格書詳情

BFR360F屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFR360F晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

? Low noise amplifier for low current applications

? Collector design supports 5 V supply voltage

? For oscillators up to 3.5 GHz

? Low noise figure 1.0 dB at 1.8 GHz

? Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small

flat package with visible leads

? Qualification report according to AEC-Q101 available

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BFR360FH6765XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    9V

  • 頻率 - 躍遷：

    14GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1dB @ 1.8GHz

  • 增益：

    15.5dB

  • 功率 - 最大值：

    210mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    90 @ 15mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應商器件封裝：

    PG-TSFP-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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