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BFQ19S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFQ19S
廠商型號

BFQ19S
參數(shù)屬性

BFQ19S 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3
功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and)
封裝外殼

TO-243AA
文件大小

28.78 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS【西門子】

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-22 17:12:00
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BFQ19S規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz

at collector currents from 10 mA to 70 mA

? CECC-type available: CECC 50 002/259

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BFQ19SH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    5.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    3dB @ 1.8GHz

  • 增益：

    7dB

  • 功率 - 最大值：

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 70mA，8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    120mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝：

    PG-SOT89

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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