BFP842ESDH6327XTSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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廠家型號(hào)：
BFP842ESDH6327XTSA1
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
INFINEON/英飛凌
庫(kù)存數(shù)量：
45
產(chǎn)品封裝：
con
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫(kù)存類型：
常用庫(kù)存
更新時(shí)間：
2024-12-30 15:00:00

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原廠料號(hào)：BFP842ESDH6327XTSA1品牌：INFINEON

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BFP842ESDH6327XTSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝con/SC-82A，SOT-343的BFP842ESDH6327XTSA1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號(hào)：
BFP842ESDH6327XTSA1
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
28 頁(yè)
文件大?。?/span>
1385.47 kb
資料說(shuō)明：
Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
BFP842ESDH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
3.7V
頻率 - 躍遷：
60GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
0.65dB @ 3.5GHz
增益：
26dB
功率 - 最大值：
120mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 15mA，2.5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
40mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SC-82A，SOT-343
供應(yīng)商器件封裝：
PG-SOT343-4-2
描述：
RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343

供應(yīng)商

企業(yè)：
北京京北通宇電子元件有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
張女士
手機(jī)：
18653422656
詢價(jià)：
電話：
18653422656
地址：
北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505

BFP842ESDH6327XTSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

BFP842ESDH6327XTSA1

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