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BFP840FESD 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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原廠料號：BFP840FESD品牌：Infineon(英飛凌)

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BFP840FESD是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產封裝NA//4-SMD，扁平引線的BFP840FESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    BFP840FESD

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內容頁數(shù)：

    28 頁

  • 文件大小：

    1480.23 kb

  • 資料說明：

    Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    BFP840FESDH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    2.6V

  • 頻率 - 躍遷：

    85GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.75dB @ 5.5GHz

  • 增益：

    35dB

  • 功率 - 最大值：

    75mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 10mA，1.8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    PG-TSFP-4-1

  • 描述：

    RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機：

    19076157484

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世貿廣場A座5層

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