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BFP650H6327

High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

ProductBrief TheBFP650isahighlinearitywidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4VandcurrentsuptoIC=150mA.With

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BFP650H6327

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 功能描述：

    Trans GP BJT NPN 4V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
SOT-343
3022
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INFINEON/英飛凌
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NA
3872
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
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INFINEON
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SOT343-4
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INFINEON/英飛凌
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Infineon(英飛凌)
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PG-SOT343-4
115000
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 詢價(jià)
更多BFP650H6327供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-28 8:12:00

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