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BFP640FESD 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

BFP640FESD參考圖片

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原廠料號：BFP640FESD品牌：INFINEON

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BFP640FESD是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TSFP-4-1/4-SMD，扁平引線的BFP640FESD晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    BFP640FESD

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    28 頁

  • 文件大小：

    1642.77 kb

  • 資料說明：

    Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BFP640FESDH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    4.7V

  • 頻率 - 躍遷：

    46GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益：

    8B ~ 30.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    110 @ 30mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    4-TSFP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市川藍電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    黃小姐/胡小姐

  • 手機：

    13427997159

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82522939

  • 傳真：

    0755-82522939

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北嘉匯新城匯商中心1020

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