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BFP280 | NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low-power amplifiers in mobile communication systems) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,low-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager,cordlesstelephone)atcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA ?fT=7,5GHz F=1.5dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | |
Silicon NPN Planar RF Transistor Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low-power amplifiers in mobile communication systems) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,low-poweramplifiersinmobile communicationsystems(pager,cordlesstelephone)atcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA ?fT=7,5GHz F=1.5dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,low-poweramplifiersinmobilecommunicationssystems(pager,cordlesstelephone)atcollectorcurrentsfrom0.2mAto8m ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,low-poweramplifiersinmobilecommunicationsystems) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,low-poweramplifiersinmobilecommunicationssystems(pager,cordlesstelephone)atcollectorcurrentsfrom0.2mAto8m ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lowpowerapplications ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lowpowerapplications ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,low-poweramplifiersinmobilecommunicationsystems(pager,cordlesstelephone)atcollectorcurrentsfrom0.2mAto8m ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,low-poweramplifiersinmobilecommunicationsystems NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,low-poweramplifiersinmobilecommunicationsystems(pager,cordlesstelephone)atcollectorcurrentsfrom0.2mAto8m ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,lowpoweramplifiersatcollectorcurrentsfrom0.2mAto8mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=7.2GHz,F=2.5dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006 | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
UHFamplifiermodule DESCRIPTION TheBGY280isapoweramplifiermoduleinaSOT559Aleadlesspackagewithaplasticcap.Thedimensionsare13.75x11x1.7mm.Themoduleconsistsoftwoseparatedline-ups.OneforGSM900andoneforGSM1800.Internalpowercontrol,inputandoutputmatching. FEATURES ?Dualband | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
Digital,triaxialaccelerationsensor | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商 | etc2 | ||
Digital,triaxialaccelerationsensor | boschBosch Sensortec GmbH 博世博世半導(dǎo)體 | bosch | ||
Combinedhumidityandpressuresensor | boschBosch Sensortec GmbH 博世博世半導(dǎo)體 | bosch | ||
DigitalPressureSensor | boschBosch Sensortec GmbH 博世博世半導(dǎo)體 | bosch | ||
Cutler-Hammer Features,Benefits andFunctions n BothBRandCHtypebranchcircuit breakerstylesavailable. n MeetslatestNECwirebending spacerequirements. n Slottedsealingscrewsathubwith sealingprovisionprovided. n Surfaceunitsaresuppliedwith mountingtabs. n Semi-flushunitsar | EATONEaton All Rights Reserved. 伊頓伊頓公司 | EATON | ||
IGBTTransistor(NchannelMOSinputvoltage-controlledHighswitchspeedVerylowtailcurrent) IGBTTransistor PreliminaryData ●VCE1000V ●IC2.5A ●Nchannel ●MOSinput(voltage-controlled) ●Highswitchspeed ●Verylowtailcurrent ●Latch-upfree ●SuitablefreewheelingdiodeBAX280 | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
SMDSchottkyBarrierRectifiers | COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司 | COMCHIP |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
5GHZ
- 引腳數(shù)：
4
- 可代換的型號：
BFR280(A),DC5142,DC5143,2SC4405,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-17
- vtest：
20
- htest：
5000000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BFP280
- 制造商：
INFINEON
- 制造商全稱：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
NPN Silicon RF Transistor(For low noise, low-power amplifiers in mobile communication systems)
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT143 |
7906200 |
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT143 |
360000 |
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價(jià)格低 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
6000 |
面議 |
19 |
SOT143 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
SOT-143 |
2959 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
05+ |
SOT-143 |
2949 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2022+ |
SOT-143 |
57550 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
22+ |
SOT143 |
8000 |
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-143 |
5449 |
原廠原裝正品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT143 |
8000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT143 |
8000 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
