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BFP183W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP183W
廠商型號

BFP183W

參數(shù)屬性

BFP183W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA)

文件大小

59.48 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-27 23:00:00

BFP183W規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Transistor

? For low noise, high-gain broadband amplifiers at

collector currents from 2 mA to 30 mA

? fT = 8 GHz

F = 1.2 dB at 900 MHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFP183WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    22dB

  • 功率 - 最大值:

    450mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 15mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT343-3D

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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