BFG135A分立半導體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BFG135A |
參數(shù)屬性 | BFG135A 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4 |
功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
文件大小 |
100.64 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-25 14:22:00 |
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更多晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BFG135A三極管、BFG135A晶體管、BFG135A晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
超高頻/特高頻 (UHF)_微波 (MW)
- 封裝形式:
- 極限工作電壓:
15V
- 最大電流允許值:
0.15A
- 最大工作頻率:
5.9GHZ
- 引腳數(shù):
- 可代換的型號:
- 最大耗散功率:
1W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
NO
- vtest:
15
- htest:
5900000000
- atest:
0.15
- wtest:
1
BFG135A規(guī)格書詳情
NPN Silicon RF Transistor
? For low-distortion broadband amplifier
stages in antenna and telecommunication
systems up to 2 GHz at collector currents from
70 mA to 130 mA
? Power amplifiers for DECT and PCN systems
? Integrated emitter ballast resistor
? fT = 6 GHz
BFG135A屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFG135A晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BFG135AE6327XT
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
15V
- 頻率 - 躍遷:
6GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益:
9dB ~ 14dB
- 功率 - 最大值:
1W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 100mA,8V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
150mA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-261-4,TO-261AA
- 供應商器件封裝:
PG-SOT223-4
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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