首頁(yè) >BFE193>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)下載&訂購(gòu)功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

BFG193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Ltd

西門子德國(guó)西門子股份公司

BFG193

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFG193

SiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BFG193

LowNoiseFigure

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BFG193

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Ltd

西門子德國(guó)西門子股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193T

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193T

SiliconNPNPlanarRFTransistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TRW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TRW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193W

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Ltd

西門子德國(guó)西門子股份公司

BFP193W

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193W

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193W

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFQ193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Ltd

西門子德國(guó)西門子股份公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BFE193

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.08A

  • 最大工作頻率:

    8GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-17

  • vtest:

    20

  • htest:

    8000000000

  • atest:

    0.08

  • wtest:

    0

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
PHILIPS
23+
SOT-143
31000
全新原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
INFINEON
23+
SOT-143
63000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
INFINEO
2023+
SMD
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-143
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!
詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
SOT-143
1077958
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
詢價(jià)
NEXPERIA/安世
23+
12000
詢價(jià)
INFINEON
23+
SOT-143
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
SOT-143
50000
原裝正品 支持實(shí)單
詢價(jià)
INFINEON
23+
SOT-143
8000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
NXP/恩智浦
23+
SOT-143
54258
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
詢價(jià)
更多BFE193供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-24 16:06:00