BF5030W分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BF5030W |
參數(shù)屬性 | BF5030W 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 8V 800MHZ SOT343 |
功能描述 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
封裝外殼 | SC-82A,SOT-343 |
文件大小 |
168.46 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-3 10:32:00 |
BF5030W規(guī)格書詳情
BF5030W屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BF5030W晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
? Designed for input stages of UHF- and VHF-tuners with AGC function
? Supporting 5 V operations and power saving 3 V operations
? Integrated ESD gate protection diodes
? Very low noise figure
? High gain, high forward transadmittance
? Very good cross modulation at gain reduction
? Pb-free (RoHS compliant) package
? Qualified according AEC Q101
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BF5030WH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
N 通道
- 頻率:
800MHz
- 增益:
24dB
- 額定電流(安培):
25mA
- 噪聲系數(shù):
1.3dB
- 封裝/外殼:
SC-82A,SOT-343
- 供應商器件封裝:
PG-SOT343-4-1
- 描述:
FET RF 8V 800MHZ SOT343
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
SOT3434 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
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INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT343 |
57455 |
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Infineon |
SOT343 |
68900 |
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INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT343 |
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原廠 |
13+ |
IC |
1 |
普通 |
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Infineon |
20+ |
SOT343 |
49000 |
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infineon |
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Infineon |
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Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
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