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BFG193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFG193

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFG193

SiliconNPNRFTransistor

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BFG193

LowNoiseFigure

DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz ?HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BFG193

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFP193T

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193T

SiliconNPNPlanarRFTransistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TRW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TRW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlargesignalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193TW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFP193W

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

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NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFQ193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BF193W

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    15V

  • 最大電流允許值:

    0.035A

  • 最大工作頻率:

    5MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-15

  • vtest:

    15

  • htest:

    5000000

  • atest:

    0.035

  • wtest:

    0

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
MOT/PHI
16+
CAN4
8500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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MOT/PHI
專業(yè)鐵帽
CAN4
8500
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨
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MOT/PHI
專業(yè)鐵帽
CAN4
67500
鐵帽原裝主營-可開原型號(hào)增稅票
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80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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KVG QUARTZ CRYSTAL TECHNOLOGY
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518000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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KVG QUARTZ CRYSTAL TECHNOLOGY
22+
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原裝原裝原裝
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INFINEON/英飛凌
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道??商峁┐罅繋齑?詳
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