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BDX18N

PNP SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL BASE

[Comset] LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentSwitching Suitablefor: Seriesandshuntregulators HighFidelityAmplifiers Power-switchingcircuits

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類(lèi)制造商

BDX18N

PNP SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL BASE

PNPSILICONTRANSISTOREPITAXIALBASE LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentSwitching ThermalFatigueInspection CompliancetoRoHS Applications: ?Seriesandshuntregulators ?HighFidelityAmplifiers ?Power-switchingcircuits ?Solenoiddrivers

COMSET

Comset Semiconductor

BDX18N

PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE

PNPSILICONTRANSISTORS,EPITAXIALBASE Highcurrantswitching Commutationfortcourant

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDX18N

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDX18N

PNP SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL BASE

COMSET

Comset Semiconductor

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BDX18N

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    70V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BD250B,2N3792,2N6247,3CD15B,

  • 最大耗散功率:

    117W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    70

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    117

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BDX18N

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全稱(chēng):

    Seme LAB

  • 功能描述:

    Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
TO-3
10000
詢價(jià)
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專(zhuān)業(yè)鐵帽
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鐵帽原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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THOMSON
23+
TO-3
7300
專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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ST
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TO-3
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更多BDX18N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 16:30:00