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BD810分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD810
廠商型號(hào)

BD810
參數(shù)屬性

BD810 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 80V 10A TO220
功能描述

Silicon PNP Power Transistors
文件大小

132.01 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-25 15:57:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BD810

  • 別名：

    BD810三極管、BD810晶體管、BD810晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD546C,BD710,3CK100D,

  • 最大耗散功率：

    90W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    80

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    90

BD810規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BD809

·DC current gain

: hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc

APPLICATIONS

·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BD810

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.1V @ 300mA，3A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 4A，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.5MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 10A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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