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BD676A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD676A
廠商型號(hào)

BD676A

參數(shù)屬性

BD676A 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 45V 4A TO126

功能描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

76.26 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 19:48:00

BD676A規(guī)格書詳情

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

The BD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682/A are PNP transistors mounted in Jedec TO-126 plastic package.

They are eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications.

NPN complements are BD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/A

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BD676A

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.8V @ 40mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 2A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 45V 4A TO126

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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