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BD651 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
BD651 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A ?LowSaturationVoltage ?ComplementtoTypeBD652 APPLICATIONS ?DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BD651 | Silicon NPN Power Transistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BD651 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647 | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BD651 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
BD651 | Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@lc=3A ?LowSaturationVoltage ?ComplementtoTypeBD652 APPLICATIONS ?DesignedforuseascomplementaryAFpush-pulloutputstageapplications | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
BD651 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
BD651 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | |
BD651 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
High-Side Switch StructureSiliconmonolithicintegratedcircuit ProductHigh-SideSwitch Features 100mΩ(VDD=5V,Typ.)DualHigh-SideSwitch Overcurrentdetector,Thermalshutdown,Undervoltagelockout ControlLogic:ActiveHigh | ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) | ROHM |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
140V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDW3D,BDX33D,BDX53E,BDT21,FD50C,
- 最大耗散功率：
62.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
140
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
62.5
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BD651
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 62.5W NPN Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2410+ |
TO-220 |
5500 |
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯. |
詢價(jià) | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
ST |
23+ |
TO-220 |
9896 |
詢價(jià) | |||
ST |
2020+ |
TO-220 |
4000 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
15000 |
原裝現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
ST |
16+ |
TO-126 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-220 |
10022 |
進(jìn)口原裝 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
2987 |
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電! |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) |
