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BCW68GE6327分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BCW68GE6327
廠商型號

BCW68GE6327
參數(shù)屬性

BCW68GE6327 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 45V 0.8A SOT23
功能描述

PNP Silicon AF Transistors
TRANS PNP 45V 0.8A SOT23
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

533.52 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-30 20:00:00

BCW68GE6327規(guī)格書詳情

BCW68GE6327屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BCW68GE6327晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

PNP Silicon AF Transistors

? For general AF applications

? High current gain

? Low collector-emitter saturation voltage

? Complementary types: BCW66... (NPN)

? Pb-free (RoHS compliant) package

? Qualified according AEC Q101

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BCW68GE6327HTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    700mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    160 @ 100mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    200MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    PG-SOT23

  • 描述：

    TRANS PNP 45V 0.8A SOT23

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
23+
SOT-23
54258
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費!
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INFINEON
21+
SOT23
23000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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7906200
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