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BCW61D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BCW61D
廠商型號(hào)

BCW61D
參數(shù)屬性

BCW61D 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
功能描述

PNP general purpose transistors
絲印標(biāo)識(shí)

BD
封裝外殼

SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

336.49 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-12 23:00:00
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BCW61D規(guī)格書詳情

FEATURES

?Low current (max. 100 mA)

?Low voltage (max. 32 V).

APPLICATIONS

?General purpose switching and amplification.

DESCRIPTION

PNP transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: BCW60.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BCW61DE6327HTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    550mV @ 1.25mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    380 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    250MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT23

  • 描述：

    TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
恩XP
24+
NA/
600
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