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BCW61D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BCW61D
廠商型號(hào)

BCW61D

參數(shù)屬性

BCW61D 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23

功能描述

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

33.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SAMSUNG三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-20 11:10:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BCW61DE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    550mV @ 1.25mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    380 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT23

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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