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BCR191W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

BCR191W
廠商型號(hào)

BCR191W

參數(shù)屬性

BCR191W 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

功能描述

PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

34.79 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 18:13:00

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BCR191W規(guī)格書詳情

PNP Silicon Digital Transistor

? Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

? Built in bias resistor (R1=22k?, R2=22k?)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BCR191WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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