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BCR135S

NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135S

NPN Silicon Digital Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135S

NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BCR135T

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135W

NPNSiliconDigitalTransistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135W

NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit)

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47K?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BCR135W

NPNSiliconDigitalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BD135

NPNSILICONTRANSISTORS

NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BD135

MediumPowerLinearandSwitchingApplications

Features ?ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications ?MediumPowerLinearandSwitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BD135

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ?DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc ?BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BD135

NPNSILICONTRANSISTORS

Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD135

NPNpowertransistors

DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BD135

NPNSILICONTRANSISTORS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD135

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

BD135

Complementarylowvoltagetransistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD135

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Highcurrent ?ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS ?Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD135

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BD135

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR

GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES ?HighCurrent.(Max.:1.5A) ?LowVoltage(Max.:45V) ?DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=0.15A ?ComplementarytoBD136.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

BD135

PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc ?ComplementarywithBD136,BD138,BD140

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BD135

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BCR135S

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R

  • 性質(zhì)：

    差分放大器射極輸出 （Dual）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    6

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-23

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BCR135S

  • 制造商：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    Transistor Array NPN 10K 47K 50V SOT363

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon/英飛凌
2019+
SOT363
36000
原盒原包裝 可BOM配套
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
SOT-363
163000
一級(jí)代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
Infineon
2021+
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
 詢價(jià)
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
INFINEON
24+
SOT-363SOT-323-6
12128
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢價(jià)
INFINEON
24+
SOT363
3600
絕對(duì)原裝!現(xiàn)貨熱賣(mài)!
 詢價(jià)
INFINEO
SOT363
3000
原裝長(zhǎng)期供貨!
 詢價(jià)
INFINEON
13+
SOT363
4300
原裝分銷
 詢價(jià)
INFINEON
23+
SOT-363
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
更多BCR135S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-1 16:04:00

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