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BCR133W分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BCR133W
廠商型號(hào)

BCR133W
參數(shù)屬性

BCR133W 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
功能描述

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

34.63 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SIEMENS【西門(mén)子】

中文名稱

德國(guó)西門(mén)子股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-9 9:33:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BCR133W

  • 別名：

    BCR133W三極管、BCR133W晶體管、BCR133W晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R

  • 性質(zhì)：

    差分放大器射極輸出 （Dual）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    DTC114EU,UN5211,2SC4398,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

BCR133W規(guī)格書(shū)詳情

NPN Silicon Digital Transistor

? Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

? Built in bias resistor (R1=10k?, R2=10k?)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BCR133WH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 5mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT323

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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