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BCR112W 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 INFINEON/英飛凌

BCR112W參考圖片

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原廠料號：BCR112W品牌：INFINEON

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BCR112W是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝SOT323/SC-70，SOT-323的BCR112W晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    BCR112W

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    120.53 kb

  • 資料說明：

    NPN Silicon Digital Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BCR112WH6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 5mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應商器件封裝：

    PG-SOT323

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市澳億芯電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生★★原廠授權(quán)一級分銷★★

  • 手機：

    13760200702

  • 詢價：
  • 電話：

    13760200702

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海大廈C-707

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