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BCP56-10T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BCP56-10T
廠商型號(hào)

BCP56-10T
參數(shù)屬性

BCP56-10T 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223
功能描述

80 V, 1 A PNP medium power transistors
封裝外殼

TO-261-4，TO-261AA
文件大小

274 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 23:00:00

BCP56-10T規(guī)格書詳情

Features and benefits

? High collector current capability IC and ICM

? Three current gain selections

? High power dissipation capability

? AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BCP56-10T3G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    63 @ 150mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    130MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-223（TO-261）

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 1A SOT223

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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