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BCP53-16-AU

PNPLowVce(sat)Transistor

Features ?SiliconPNPepitaxialtype ?LowVce(sat)-0.4V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA ?Highcollectorcurrentcapability ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?AEC-Q101qualified ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard ?NPNcom

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

BCP53-16H

80V,1APNPmediumpowertransistors

Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■High-temperatureapplicat

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP53-16H

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplicationsupto175?C ?AEC-Q101qualified

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BCP53-16H

80V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplicationsupto175?C ?AEC-Q101qualified

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BCP53-16H-Q

80V,1APNPmediumpowertransistors

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplications

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BCP53-16T

80V,1APNPmediumpowertransistors

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BCP53-16T

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability

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BCP53-16T

80V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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BCP53-16T-Q

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

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BCX53-16

80V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    BCP53-16 T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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21+
標準封裝
200
保證原裝正品,需要聯(lián)系張小姐 13544103396 微信同號
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進口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
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安羅世紀電子只做原裝正品貨
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50
C33-外殼
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現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價格
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多BCP53-16 T/R供應商 更新時間2025-3-10 8:00:00

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