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BC859CLT3G
廠商型號

BC859CLT3G

功能描述

General Purpose Transistors

絲印標識

4C

封裝外殼

SOT-23

文件大小

179.58 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 First Silicon Co., Ltd
企業(yè)簡稱

FS

中文名稱

First Silicon Co., Ltd官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-21 22:30:00

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BC859CLT3G規(guī)格書詳情

General Purpose Transistors

PNP Silicon

? Moisture Sensitivity Level: 1

? ESD Rating – Human Body Model: >4000 V

– Machine Model: >400 V

? We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    BC859CLT3G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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