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BC859C

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC859C

PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)

Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BC859C

SwitchingandAmplifierApplications

Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC859,BC860 ?ComplementtoBC846...BC850

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BC859C

PNPSiliconAFTransistors

PNPSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC859C

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagin

Diotec

Diotec Semiconductor

BC859C

GeneralPurposeTransistorPNPSilicon

GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC859C

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BC859C

PNPGeneralPurposeTransistor

■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●NPNcomplements:BC849andBC850.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BC859C

PNPSiliconAFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC859C

GeneralPurposeTransistors

GeneralPurposeTransistors PNPSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating –HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V ?Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亞昕科技亞昕科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BC859BW T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BC859BW T/R供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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