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BC858CDXV6T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual PNP柒號(hào)芯城
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
BC858CDXV6T1G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual PNP
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
連小若
- 手機(jī):
18922805453
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83663056
- 傳真:
0755-83209937
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓
相近型號(hào)
- BC858CW
- BC858BWT1G
- BC858CW-7-F
- BC858BWT106
- BC858CWE6327
- BC858BWH6327XTSA1
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- BC859C-AU
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- BC858B,215
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- BC858AMTF
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