BC858A分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BC858A |
參數(shù)屬性 | BC858A 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | General Purpose Transistors |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
84.18 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-7-29 10:07:00 |
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BC858A規(guī)格書詳情
BC858A屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的BC858A晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術。
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SC?70/SOT?323 which is designed for low power surface mount applications.
Features
? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101
Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BC858ALT1
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
125 @ 2mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商器件封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
16+ |
原廠封裝 |
10000 |
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