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BC848BE6327分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BC848BE6327
廠商型號

BC848BE6327

參數(shù)屬性

BC848BE6327 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

功能描述

NPN Silicon AF Transistors
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

881.87 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-25 15:30:00

BC848BE6327規(guī)格書詳情

BC848BE6327屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BC848BE6327晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

NPN Silicon AF Transistors

? For AF input stages and driver applications

? High current gain

? Low collector-emitter saturation voltage

? Low noise between 30 Hz and 15 kHz

? Complementary types: BC857...-BC860...(PNP)

? Pb-free (RoHS compliant) package

? Qualified according AEC Q1011)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BC848BE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT23

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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